GT60N321 Formed Leads, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]
| Бренд: | Toshiba |
|---|
Отзыв о товаре "GT60N321 Formed Leads, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]"
Пока никто не оставлял отзывы.
Похожие товары
IGW40T120, Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314). Бренд: Infineon. Артикул: 2010052409
![IGW40T120, Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)](/netcat_files/1590/2376/2010052409.jpg)
GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]. Бренд: Toshiba. Артикул: 2013761081
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]. Бренд: On Semiconductor. Артикул: 2010053688
![FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]](/netcat_files/1590/2376/2010053688.jpg)
Поделиться с друзьями: